Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | FREE WHEELING DIODE |
| 应用 | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.85 V |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 70 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 4 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
| 最大反向电流 | 25 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.1 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| Base Number Matches | 1 |
| MUR4100ERL | MUR4100E | |
|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | FREE WHEELING DIODE | FREE WHEELING DIODE |
| 应用 | ULTRA FAST RECOVERY | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.85 V | 1.85 V |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 70 A | 70 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | 4 A | 4 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 1000 V | 1000 V |
| 最大反向电流 | 25 µA | 25 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.1 µs | 0.1 µs |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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