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MUR4100ERL

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小158KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MUR4100ERL概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon

MUR4100ERL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.85 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

MUR4100ERL相似产品对比

MUR4100ERL MUR4100E
描述 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.85 V 1.85 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 70 A 70 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 4 A 4 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 1000 V
最大反向电流 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1
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