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HM4-65262B-8

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CQCC20,
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文件大小421KB,共10页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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HM4-65262B-8概述

Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CQCC20,

HM4-65262B-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XQCC-N20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量20
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC20,.3X.43
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最小待机电流2 V
最大压摆率0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1

HM4-65262B-8相似产品对比

HM4-65262B-8 HM1-65262-8 HM4-65262-8 HM4-65262C-8
描述 Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CQCC20, Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CDIP20, Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CQCC20, Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CQCC20,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 70 ns 85 ns 85 ns 85 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XQCC-N20 R-XDIP-T20 R-XQCC-N20 R-XQCC-N20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 QCCN DIP QCCN QCCN
封装等效代码 LCC20,.3X.43 DIP20,.3 LCC20,.3X.43 LCC20,.3X.43
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified)
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD DUAL QUAD QUAD
Base Number Matches 1 1 1 1
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