电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HM1-65262-8

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CDIP20,
产品类别存储    存储   
文件大小421KB,共10页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HM1-65262-8概述

Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CDIP20,

HM1-65262-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TEMIC
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间85 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量20
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最小待机电流2 V
最大压摆率0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HM1-65262-8相似产品对比

HM1-65262-8 HM4-65262-8 HM4-65262B-8 HM4-65262C-8
描述 Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CDIP20, Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CQCC20, Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CQCC20, Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CQCC20,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 85 ns 85 ns 70 ns 85 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XDIP-T20 R-XQCC-N20 R-XQCC-N20 R-XQCC-N20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP QCCN QCCN QCCN
封装等效代码 DIP20,.3 LCC20,.3X.43 LCC20,.3X.43 LCC20,.3X.43
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified)
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD QUAD
Base Number Matches 1 1 1 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 573  1130  2872  537  2079  4  8  45  18  54 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved