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UZTX796A: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小61KB，共3页; 制造商Zetex Semiconductors; 官网地址http://www.zetex.com/; 标准

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UZTX796A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

UZTX796A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	200 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 APRIL 94

FEATURES

* 200 Volt V

CEO

* Gain of 250 at I

=0.3 Amps

* Very low saturation voltage

ZTX796A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation

at T

amb

=25°C

derate above 25°C

SYMBOL

CBO

CEO

EBO

totp

tot

stg

-200

-5

-1

-0.5

1.5

5.7

E-Line

TO92 Compatible

VALUE

UNIT

mW/°C

°C

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

Collector-Base Breakdown

Voltage

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

Collector-Emitter Saturation

Voltage

Base-Emitter

Saturation Voltage

Base-Emitter

Turn-On Voltage

Static Forward Current

Transfer Ratio

SYMBOL

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

BE(sat)

BE(on)

300

250

100

3-288

-0.67

800

MIN.

-200

-5

-0.1

-0.2

-0.3

-0.95

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

=-100

=-10mA*

=-100

=-150V

=-4V

=-50mA, I

=-2mA*

=-100mA, I

=-5mA*

=-200mA, I

=-20mA*

=-200mA, I

=-20mA*

IC=-200mA, V

=-10V*

=-10mA, V

=-10V*

=-100mA, V

=-10V*

=-300mA, V

=-10V*

=-400mA, V

=-10V*

UZTX796A相似产品对比

	UZTX796A
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
是否Rohs认证	符合
包装说明	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	200 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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