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BUL55ASMD-JQR

产品描述Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AB, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小10KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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BUL55ASMD-JQR概述

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AB, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN

BUL55ASMD-JQR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-276AB
JESD-30 代码R-CBCC-N3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1
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