电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JANTX1N821AUR-1

产品描述Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小212KB,共2页
制造商Cobham PLC
下载文档 详细参数 全文预览

JANTX1N821AUR-1概述

Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

JANTX1N821AUR-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6.2 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
电压温度Coeff-Max0.62 mV/°C
最大电压容差4.84%
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Temperature Compensated
Zener Reference Diode Series
1N821AUR thru 1N829AUR & 1N821UR-1 thru 1N829UR-
Features
1N821UR-1, 1N823UR-1, 1N825UR-1, 1N827UR-1 and 1N829UR-1
and A versions available in JAN, JANTX, JANTXV, JANS
Metallurgically Bonded, Double Plug Construction
Maximum Ratings
Operating & Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
REVERSE LEAKAGE CURRENT
lR = 2 μA @ 25°C & VR = 3 Vdc
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
JEDEC
TYPE
Number
(Note1)
1N821UR
1N821AUR
1N823UR
1N823AUR
1N825UR
1N825AUR
1N826UR
1N827UR
1N827AUR
1N828UR
1N829UR
1N829AUR
Normal
Zener
Voltage
Vz @ IZT
Volts
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
Zener
Test
Current
IZT
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
Maximum Zener
Impedance
(Note 1)
ZZT
Ohms
15
10
15
10
15
10
15
15
10
15
15
10
Voltage Temperature
Stability
Δ
V
ZT
-55° to +100°C
(Note 2)
mV
96
96
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
%/°C
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
Effective
Temperature
Coefficient
NOTE 1:
NOTE 2:
Zener impedance is derived by superimposing on lZT A 60Hz rms a.c. current equal to 10% of lZT.
The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the diode voltage will not exceed the
specified mV at any discrete temperature between the established limits, per JEDEC standard No. 5.
Outline Drawing
D
LEADED DESIGN DATA
CASE: DO – 213AA, Hermetically sealed glass case.
(MELF, SOD-80, LL34)
G
F
G1
LEAD FINISH: Tin / Lead
POLARITY: Cathode end is banded.
S
MOUNTING POSITION: Any.
MOUNTING SURFACE SELECTION: The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately +6 PPM/°C. The COE of the
Mounting Surface System Should Be Selected To Provide A Suitable
Match With This Device.
Revision Date: 11/6/2014
1
飞思卡尔单片机开发环境
飞思卡尔单片机开发环境,先分享了...
cernllyy 单片机
MSP430G2553学习笔记之四
TI的430系列主打是低功耗,它的技术文档和Dome程序都非常详细,尤其是技术文档真让人有种膜拜的感觉,在每个模块的时候还有个框图,对理解模块内设置非常有帮助,我当时还特意打印了。 ......
Jacktang 微控制器 MCU
调试运行不了,报错:管道的另一端上无任何进程
一个DLL,一个exe工程,加载dll使用#pragma comment lib形式,在EVC下可以运行的; 但现在要移植到ce6下,使用vs2005编译通过,部署也成功,但运行不起来,调试发现连APP的构造函数也没运行, ......
lj1978 嵌入式系统
IEEE JSSC论文(1960~2005) 分卷下载
IEEE介绍: 电气电子工程师学会(IEEE)的英文全称是the Institute of Electrical and Electronics Engineers,其前身是成立于1884年的美国电气工程师协会(AIEE)和成立于1912年的无线电工程 ......
linjiang 下载中心专版
STR911SPI做主收不到数据
GPIO_StructInit(&GPIO_InitStruct);GPIO_InitStruct.GPIO_Direction=GPIO_PinInput;GPIO_InitStruct.GPIO_Pin=GPIO_Pin_6;GPIO_InitStruct.GPIO_Type=GPIO_Type_PushPull;GPIO_InitStruct ......
t5yw224f stm32/stm8
evc socket有windows通信问题
小弟定义了一个结构体,然后想用来进行windows和wince通信,内容是文件的一些信息。然后把文件从windows传到wince上去。不过每次传都收不到真确的东西。请问我哪里有问题,是wince的Unicode的问 ......
小美 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2262  420  2326  2377  123  50  30  53  8  33 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved