Bridge Rectifier Diode, 4A, 200V V(RRM),
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A |
元件数量 | 4 |
最高工作温度 | 125 °C |
最大输出电流 | 4 A |
最大重复峰值反向电压 | 200 V |
表面贴装 | NO |
Base Number Matches | 1 |
KBU4D | KBU4J | KBU4K | |
---|---|---|---|
描述 | Bridge Rectifier Diode, 4A, 200V V(RRM), | Bridge Rectifier Diode, 4A, 600V V(RRM), | Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM), |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics | Galaxy Microelectronics | Galaxy Microelectronics |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
Is Samacsys | N | N | N |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V | 1 V |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A | 150 A | 150 A |
元件数量 | 4 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最大输出电流 | 4 A | 4 A | 4 A |
最大重复峰值反向电压 | 200 V | 600 V | 800 V |
表面贴装 | NO | NO | NO |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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