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KBU4J

产品描述Bridge Rectifier Diode, 4A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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KBU4J概述

Bridge Rectifier Diode, 4A, 600V V(RRM),

KBU4J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流4 A
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

KBU4J相似产品对比

KBU4J KBU4D KBU4K
描述 Bridge Rectifier Diode, 4A, 600V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 4A, 200V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
Is Samacsys N N N
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A
元件数量 4 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 4 A 4 A 4 A
最大重复峰值反向电压 600 V 200 V 800 V
表面贴装 NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1
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