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BU705D

产品描述TRANSISTOR 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB,共5页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BU705D概述

TRANSISTOR 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

BU705D规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2.5 A
集电极-发射极最大电压700 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)2.2
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7 MHz
VCEsat-Max1 V

BU705D相似产品对比

BU705D BU705
描述 TRANSISTOR 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power 2.5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2.5 A 2.5 A
集电极-发射极最大电压 700 V 700 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 2.2 2.2
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 75 W 75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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