BU705概述

2.5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

BU705规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2.5 A
集电极-发射极最大电压	700 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	2.2
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	75 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	7 MHz
VCEsat-Max	1 V

	BU705	BU705D
描述	2.5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR	TRANSISTOR 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2.5 A	2.5 A
集电极-发射极最大电压	700 V	700 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	2.2	2.2
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN
功耗环境最大值	75 W	75 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	7 MHz	7 MHz
VCEsat-Max	1 V	1 V

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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