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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BFY84.MODG4
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BFY84.MODG4

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-77,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小20KB，共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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BFY84.MODG4概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-77,

BFY84.MODG4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量1.7 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-77
JESD-30 代码O-MBCY-W6
JESD-609代码e4
元件数量2
端子数量6
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层GOLD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)600 MHz
Base Number Matches1

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BFY84
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
8.51 (0.335)
9.40 (0.370)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
SILICON PLANAR EPITAXIAL
NPN TRANSISTOR
1.02
(0.040)
Max.
12.7 (0.500)
Min.
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
5.08
(0.200)
2.54
(0.100)
DESCRIPTION
The BFY84 is a six terminal device containing
two isolated silicon planar epitaxial NPN
transistors in Jedec TO77 metal case.
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
2.54
(0.100)
3
2
4
5
6
1
45˚
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
The good thermal tracking over a wide current
and temperature range, offers the circuit
designer matched transistors with specified
performance for differential amplifiers.
TO77
Pin 1 – Collector 1
Pin 2 – Base 1
Pin 3 – Emitter 1
Pin 4 – Emitter 2
Pin 5 – Base 2
Pin 6 – Collector 2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Collector – Base Voltage (I
E
= 0)
Collector – Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter – Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Total Dissipation at
T
amb
£
25°C (one side)
T
amb
£
25°C (both sides)
T
case
£
25°C (one side)
T
case
£
25°C (both sides)
T
case
£
100°C (one side)
T
case
£
100°C (both sides)
T
stg,
T
j
Storage and Junction Temperature
30V
12V
3V
200mA
0.3W
0.38W
0.6W
0.98W
0.34W
0.56W
–65 to +200°C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Prelim. 5/99

BFY84.MODG4相似产品对比

BFY84.MODG4 BFY84G4 BFY84 BFY84.MOD
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-77, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-77, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-77, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-77,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
基于收集器的最大容量 1.7 pF 1.7 pF 1.7 pF 1.7 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V 12 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码 TO-77 TO-77 TO-77 TO-77
JESD-30 代码 O-MBCY-W6 O-MBCY-W6 O-MBCY-W6 O-MBCY-W6
元件数量 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 600 MHz 600 MHz 600 MHz 600 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1

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