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BC807-25

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小351KB,共5页
制造商Galaxy Microelectronics
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BC807-25概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

BC807-25规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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Production specification
PNP General Purpose Amplifier
FEATURES
For general AF applications
Complementary NPN type available
BC817
High collector current
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
BC807-16/-25/-40
Pb
Lead-free
SOT-23
ORDERING INFORMATION
Type No.
BC807-16
BC807-25
BC807-40
Marking
5A
5B
5C
Package Code
SOT-23
SOT-23
SOT-23
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
D
R
θjA
T
j,
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Total Device Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Value
-50
-45
-5
-500
320
417
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
℃/W
C041
Rev.B
www.gmesemi.com
1

BC807-25相似产品对比

BC807-25 BC807-40
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 45V,0.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 45V, 0.5A, 250, 600, 1V
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz

 
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