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DTA114TE

产品描述PNP Bipolar Digital Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 50V; IC Continuous (mA): 100mA; GI: 100; VO(ON) (V): 0.3V; FT (MHz): 250+ MHz; R1 (KΩ): 10K Ohm; R2 (KΩ): 0 Ohm; R1/R2 Typ: -; VI(OFF) Max (V): 0.5V; VI(ON) Min (V): 3V; PTOT (mW): 150mW; Package: SOT-523
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小186KB,共3页
制造商Galaxy Microelectronics
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DTA114TE概述

PNP Bipolar Digital Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 50V; IC Continuous (mA): 100mA; GI: 100; VO(ON) (V): 0.3V; FT (MHz): 250+ MHz; R1 (KΩ): 10K Ohm; R2 (KΩ): 0 Ohm; R1/R2 Typ: -; VI(OFF) Max (V): 0.5V; VI(ON) Min (V): 3V; PTOT (mW): 150mW; Package: SOT-523

DTA114TE规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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Production specification
Digital Transistor
FEATURES
Epitaxial planar die construction.
Complementary NPN types available(DTC).
Built-in biasing resistors,R
1
only.
Also available in lead free version.
DTAXXXTE
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
The PNP style digital transistor.
SOT-523
ORDERING INFORMATION
Type No.
DTA114TE
DTA143TE
DTA144TE
Marking
94
93
96
Package Code
SOT-523
SOT-523
SOT-523
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
(Max.)
P
D
R
θJA
T
j
,T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Operating and Storage and Temperature Range
Value
-50
-50
-5
-100
150
625
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
mW
℃/W
H037
Rev.A
www.gmesemi.com
1

DTA114TE相似产品对比

DTA114TE DTA144TE
描述 PNP Bipolar Digital Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 50V; IC Continuous (mA): 100mA; GI: 100; VO(ON) (V): 0.3V; FT (MHz): 250+ MHz; R1 (KΩ): 10K Ohm; R2 (KΩ): 0 Ohm; R1/R2 Typ: -; VI(OFF) Max (V): 0.5V; VI(ON) Min (V): 3V; PTOT (mW): 150mW; Package: SOT-523 PNP Bipolar Digital Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 50V; IC Continuous (mA): 100mA; GI: 100; VO(ON) (V): 0.3V; FT (MHz): 250+ MHz; R1 (KΩ): 47K Ohm; R2 (KΩ): 0 Ohm; R1/R2 Typ: -; VI(OFF) Max (V): 0.5V; VI(ON) Min (V): 3V; PTOT (mW): 150mW; Package: SOT-523
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 1
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