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ACT-D1M96S-020F20T

产品描述Synchronous DRAM Module, 1MX96, 13ns, CMOS, CQFP200, 1.450 X 1.450 INCH, CAVITY-UP, CERAMIC, QFP-200
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文件大小139KB,共14页
制造商Cobham PLC
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ACT-D1M96S-020F20T概述

Synchronous DRAM Module, 1MX96, 13ns, CMOS, CQFP200, 1.450 X 1.450 INCH, CAVITY-UP, CERAMIC, QFP-200

ACT-D1M96S-020F20T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cobham PLC
包装说明QFP, QFP200,1.6SQ
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间13 ns
其他特性AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)50 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQFP-G200
JESD-609代码e0
长度36.83 mm
内存密度100663296 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度96
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度110 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX96
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFP
封装等效代码QFP200,1.6SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度3.302 mm
最大待机电流0.04 A
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD
宽度36.83 mm
Base Number Matches1

ACT-D1M96S-020F20T相似产品对比

ACT-D1M96S-020F20T ACT-D1M96S-020F20C ACT-D1M96S-020F20I ACT-D1M96S-020F20Q ACT-D1M96S-020F20M
描述 Synchronous DRAM Module, 1MX96, 13ns, CMOS, CQFP200, 1.450 X 1.450 INCH, CAVITY-UP, CERAMIC, QFP-200 Synchronous DRAM Module, 1MX96, 13ns, CMOS, CQFP200, 1.450 X 1.450 INCH, CAVITY-UP, CERAMIC, QFP-200 Cache DRAM Module, 1MX16, 13ns, CMOS, CQFP200, 1.45 X 1.45 INCH, CERAMIC, HERMETIC SHEILD, QFP-200 Cache DRAM Module, 1MX16, 13ns, CMOS, CQFP200, 1.45 X 1.45 INCH, CERAMIC, HERMETIC SHEILD, QFP-200 Synchronous DRAM Module, 1MX96, 13ns, CMOS, CQFP200, 1.450 X 1.450 INCH, CAVITY-UP, CERAMIC, QFP-200
厂商名称 Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC
包装说明 QFP, QFP200,1.6SQ QFP, QFP200,1.6SQ QFP, QFP200,1.6SQ QFP, QFP200,1.6SQ QFP, QFP200,1.6SQ
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N N
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 13 ns 13 ns 13 ns 13 ns 13 ns
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-CQFP-G200 S-CQFP-G200 R-XQFP-G200 R-XQFP-G200 S-CQFP-G200
长度 36.83 mm 36.83 mm 36.83 mm 36.83 mm 36.83 mm
内存密度 100663296 bit 100663296 bit 16777216 bit 16777216 bit 100663296 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE CACHE DRAM MODULE CACHE DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 96 96 16 16 96
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 200 200 200 200 200
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 110 °C 70 °C 85 °C 125 °C 110 °C
最低工作温度 -55 °C - -40 °C -55 °C -55 °C
组织 1MX96 1MX96 1MX16 1MX16 1MX96
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC CERAMIC CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QFP QFP QFP QFP QFP
封装等效代码 QFP200,1.6SQ QFP200,1.6SQ QFP200,1.6SQ QFP200,1.6SQ QFP200,1.6SQ
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 3.302 mm 3.302 mm 2.921 mm 2.921 mm 3.302 mm
最大待机电流 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER COMMERCIAL INDUSTRIAL MILITARY OTHER
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 36.83 mm 36.83 mm 36.83 mm 36.83 mm 36.83 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1
是否Rohs认证 不符合 不符合 - - 不符合
JESD-609代码 e0 e0 - - e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb)
筛选级别 - - MIL-PRF-38534 MIL-PRF-38534 MIL-STD-883
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