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BF823

产品描述General Purpose PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 250V; IC (A): 0.05A; HFE Min: 50; VCE (V): 20V; IC (mA): 25mA; VCE(SAT) (V): 0.8V; IC (mA)1: 30mA; IB (mA): 5mA; FT Min (MHz): 60 MHz; PTM Max (W): 0.25W; Package: SOT-23; package_code: SOT-23; mfr_package_code: SOT-23
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小177KB,共3页
制造商Galaxy Microelectronics
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BF823概述

General Purpose PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 250V; IC (A): 0.05A; HFE Min: 50; VCE (V): 20V; IC (mA): 25mA; VCE(SAT) (V): 0.8V; IC (mA)1: 30mA; IB (mA): 5mA; FT Min (MHz): 60 MHz; PTM Max (W): 0.25W; Package: SOT-23; package_code: SOT-23; mfr_package_code: SOT-23

BF823规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1

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Production specification
PNP High-Voltage Transistors
FEATURES
Low current(max.-50mA).
High voltage(max.-300V).
Complements:BF820,BF822.
BF821/BF823
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
Telephony and professional communication equipment.
ORDERING INFORMATION
Type No.
BF821
BF823
Marking
1W
1Y
SOT-23
Package Code
SOT-23
SOT-23
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j,
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
BF821
BF823
BF821
BF823
Value
-300
-250
-300
-250
-5
-50
-50
250
-65 to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Base Current-Peak
Total Power Dissipation
Junction and Storage Temperature
C108
Rev.A
www.gmesemi.com
1

BF823相似产品对比

BF823 BF821
描述 General Purpose PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 250V; IC (A): 0.05A; HFE Min: 50; VCE (V): 20V; IC (mA): 25mA; VCE(SAT) (V): 0.8V; IC (mA)1: 30mA; IB (mA): 5mA; FT Min (MHz): 60 MHz; PTM Max (W): 0.25W; Package: SOT-23; package_code: SOT-23; mfr_package_code: SOT-23 General Purpose PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 300V; IC (A): 0.05A; HFE Min: 50; VCE (V): 20V; IC (mA): 25mA; VCE(SAT) (V): 0.8V; IC (mA)1: 30mA; IB (mA): 5mA; FT Min (MHz): 60 MHz; PTM Max (W): 0.25W; Package: SOT-23; package_code: SOT-23; mfr_package_code: SOT-23
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
零件包装代码 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 250 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 60 MHz 60 MHz
Base Number Matches 1 1
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