64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Catalyst |
| 零件包装代码 | TSSOP |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP14,.25 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | 1000000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 100 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 5 mm |
| 内存密度 | 1024 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 14 |
| 字数 | 128 words |
| 字数代码 | 128 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP14,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.005 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
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