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MUR410G

产品描述4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小175KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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MUR410G概述

4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

4 A, 100 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

MUR410G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述LEAD FREE, PLASTIC, CASE 267-03, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层MATTE TIN
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
应用ULTRA FAST RECOVERY POWER
相数1
反向恢复时间最大0.0350 us
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流4 A
最大非重复峰值正向电流125 A
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