ZVNL120A: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小248KB，共3页; 制造商Zetex Semiconductors; 官网地址http://www.zetex.com/; 标准

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ZVNL120A概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

ZVNL120A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Zetex Semiconductors
包装说明	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.18 A
最大漏极电流 (ID)	0.18 A
最大漏源导通电阻	10 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	7 pF
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.7 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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N-CHANNEL

ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2- MARCH 94

FEATURES

ZVNL120A

2oovoltvD~

l)S(m)=lOi’

Lowthreshold

~}~

handsets

APPLICATIONS

Telephone

E-Line

T092Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM

RATINGS.

Continuous

Drain Current at Tamb=250C

Pulsed Drain Current

Gate Source Voltage

Power Dissipation

:-:”

-----:::*::

Range+---l--5::Ti””-”+:-

”t::=:I:i-::d

at T ~mb=250C

Operating

and Storage —

Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBCJL

MIN.

200

MAX.

–

UNIT

Drain-Soul-cc

Voltage

Gate-Source

Gate-Body

Breakdown

‘VDSS

ID=l mA, VG~=OV

“~””

‘-

‘-”-”

lD=lmA,

‘-

‘----F--

vG#

VDs

VGs

“-””

CONDITIONS.

Threshold

Leakage

Voltage

‘GS(th)

lGSS

0.5

l.5–

,o~:~

20V, vD~=ov

Zerc! Gate Voltage

Drain Current

l~ss

100

500

Ds= f30V, vG-~OV,

T=125”C(2)

I :“=Fv:v::o-–-””_

+—.

—

—-–-—– —-——

“‘–

On-State

D;;n

Cur~ent(l)

On-State

——

lD(on)

;;A-~~::2~,7G;’;V——-

.--.—

Static Drain-Source

Resistance (1

‘DS(on

..-

9fs

..—

Forward Transconductance

(1)(2)

(2)

200

()

VGS=5V,lD=250rnA

VG~=3V, lD=125mA

VDS=25V,lD=250mA

—-

lnp~it Capacitance

c;.,

co,,

c;.,

‘d(on)

.—

‘d(off)

VDS==25 V, VGsOV,

f=l MHz

Common Source Output

Capacitance (2)

Reverse Transfer

Capacitan;;(2)

Turn-On

Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

..—. —

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall ;Ime

(1) Measured

(3) Switchinq

(2)(3)

Delay

-’-..””-

—

.—

——.

VDD=25V,

lD=250mA

n; ‘-”

under pulsed conditions. Width= 300ps. Duty cycle <2% (2) Sample test.

times measured with 50Q souce impedance and <5r]s rise time on a pulse generator

3-401

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