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BZX55-B10

产品描述Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小117KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BZX55-B10概述

Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W,

BZX55-B10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗15 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压10 V
表面贴装NO
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
BZX55 --- SERIES
ZENER DIODES
POWER DISSIPATION: 500 mW
Silicon planar power zener diodes
The zener voltages are graded according to the
international E 24 standard. Standard zener voltage
tolerance is ±5%. Replace suffix "C" with "B" for ±2%,
Replace suffix "C" with "A" for 1%.
other voltage tolerance and other zener voltage are
available upon request.
Case:DO-35, Glass Case
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, method 208
Polarity: Cathode band
Marking: Type number
Approx. Weight: "DO34" 0.093 grams,"DO35" 0.13grams
DO-34(GLASS)
MECHANICAL DATA
DO-35(GLASS)
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
Pow er dissipation @ T
amb
=25
Junction temperature
Storage temperature range
VALUE
UNIT
P
tot
T
J
T
s
500
1)
175
-55---+175
mW
SYMBOL
Thermal resistance junction to ambient
Forw ard voltage at I
F
=100mA
MIN
TYP
MAX
300
1)
1.0
UNIT
/W
V
www.gmesemi.com
R
θ
JA
V
F
NOTES: (1) Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
Document Number BZX55
BL
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