EBE21FD4AHFE,EBE21FD4AHFE pdf中文资料,EBE21FD4AHFE引脚图,EBE21FD4AHFE电路-Datasheet-电子工程世界

EBE21FD4AHFE: 产品描述2GB Fully Buffered DIMM; 文件大小179KB，共22页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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EBE21FD4AHFE概述

2GB Fully Buffered DIMM

EBE21FD4AHFE相似产品对比

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描述	2GB Fully Buffered DIMM	2GB Fully Buffered DIMM	2GB Fully Buffered DIMM	2GB Fully Buffered DIMM	2GB Fully Buffered DIMM	2GB Fully Buffered DIMM	2GB Fully Buffered DIMM
厂商名称	-	ELPIDA	ELPIDA	-	-	ELPIDA	ELPIDA
零件包装代码	-	DIMM	DIMM	-	-	DIMM	DIMM
包装说明	-	DIMM,	DIMM,	-	-	DIMM,	DIMM, DIMM240,40
针数	-	240	240	-	-	240	240
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow	-	-	unknown	unknow
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	EAR99
访问模式	-	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	-	-	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	-	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	-	-	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
内存密度	-	19327352832 bi	19327352832 bi	-	-	19327352832 bit	19327352832 bi
内存集成电路类型	-	DRAM MODULE	DRAM MODULE	-	-	DRAM MODULE	DRAM MODULE
内存宽度	-	72	72	-	-	72	72
功能数量	-	1	1	-	-	1	1
端口数量	-	1	1	-	-	1	1
端子数量	-	240	240	-	-	240	240
字数	-	268435456 words	268435456 words	-	-	268435456 words	268435456 words
字数代码	-	256000000	256000000	-	-	256000000	256000000
工作模式	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	-	256MX72	256MX72	-	-	256MX72	256MX72
封装主体材料	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	-	DIMM	DIMM	-	-	DIMM	DIMM
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	-	YES	YES	-	-	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	-	1.9 V	1.9 V	-	-	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	-	1.7 V	1.7 V	-	-	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	-	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V
表面贴装	-	NO	NO	-	-	NO	NO
技术	-	CMOS	CMOS	-	-	CMOS	CMOS
端子形式	-	NO LEAD	NO LEAD	-	-	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	-	DUAL	DUAL	-	-	DUAL	DUAL

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