512MB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE51UD8AGWA | EBE51UD8AGWA-6E-E | EBE51UD8AGWA-5C-E | |
---|---|---|---|
描述 | 512MB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM | 512MB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM | 512MB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM |
厂商名称 | - | ELPIDA | ELPIDA |
零件包装代码 | - | DIMM | DIMM |
包装说明 | - | DIMM, | DIMM, |
针数 | - | 240 | 240 |
Reach Compliance Code | - | unknow | unknow |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | - | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | - | 0.45 ns | 0.5 ns |
其他特性 | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | - | R-XDMA-N240 | R-XDMA-N240 |
内存密度 | - | 4294967296 bi | 4294967296 bi |
内存集成电路类型 | - | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | - | 64 | 64 |
功能数量 | - | 1 | 1 |
端口数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 240 | 240 |
字数 | - | 67108864 words | 67108864 words |
字数代码 | - | 64000000 | 64000000 |
工作模式 | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | - | 85 °C | 85 °C |
组织 | - | 64MX64 | 64MX64 |
封装主体材料 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | - | DIMM | DIMM |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
自我刷新 | - | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | - | 1.9 V | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | - | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | - | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | - | NO | NO |
技术 | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | - | OTHER | OTHER |
端子形式 | - | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved