Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BY399S(Z)

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BY399S(Z): 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小59KB，共2页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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BY399S(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,

BY399S(Z)规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
应用	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.25 V
JEDEC-95代码	DO-27
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	100 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	1000 V
最大反向电流	10 µA
最大反向恢复时间	0.15 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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FEATURES

Low cost

GALAXY ELECTRICAL

BY396(Z)---BY399S(Z)

VOLTAGE RANGE: 100--- 1000 V

CURRENT: 3.0 A

FAST RECOVERY RECTIFIER

DO - 27

Diffused junction

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol

and similar solvents

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC DO-27,molded plastic

Terminals: Axial lead ,solderable per

MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight:0.041 ounces,1.15 grams

Mounting position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.

396

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forw ard rectified current

9.5mm lead length,

=75

397

200

140

200

398

400

280

400

3.0

399

800

560

800

399S

1000

700

1000

UNITS

RRM

RMS

F(AV)

100

Peak forw ard surge current

8.3ms single half-sine-w ave

superimposed on rated load

=125

FSM

100.0

Maximum instantaneous forw ard voltage

@ 3.0 A

Maximum reverse current

at rated DC blocking voltage

=25

=100

STG

1.25

10.0

200.0

150

- 55---- +150

／Ｗ

Maximum reverse recovery time (Note1)

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

NOTE:1. Measured with I

=0.5A, I

=1A, I

=0.25A.

www.galaxycn.com

2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.

3. Thermal resistance f rom junction to ambient.

Document Number 0261023

GALAXY ELECTRICAL

BY399S(Z)相似产品对比

	BY399S(Z)	BY399(Z)
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27,
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.25 V	1.25 V
JEDEC-95代码	DO-27	DO-27
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	100 A	100 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	3 A	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	1000 V	800 V
最大反向电流	10 µA	10 µA
最大反向恢复时间	0.15 µs	0.15 µs
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1

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