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BY399(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BY399(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27,

BY399(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BY396(Z)---BY399S(Z)
VOLTAGE RANGE: 100--- 1000 V
CURRENT: 3.0 A
FAST RECOVERY RECTIFIER
DO - 27
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight:0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BY
396
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BY
397
200
140
200
BY
398
400
280
400
3.0
BY
399
800
560
800
BY
399S
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
100
70
100
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
100.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.25
10.0
200.0
150
32
22
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE:1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0261023
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BY399(Z)相似产品对比

BY399(Z) BY399S(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 800 V 1000 V
最大反向电流 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1
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