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FXT614

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小25KB,共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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FXT614概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

FXT614规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)10000
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.25 V
Base Number Matches1

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 – FEB 94
FEATURES
* 100 Volt V
CEO
* 800 mA continuous current
* Gain of 10K at I
C
=500mA
* P
tot
= 1 Watt
APPLICATIONS
* Lamp, solenoid and relay drivers
REFER TO BCX38 FOR GRAPHS
FXT614
B
C
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
120
100
10
800
1
E-line
TO92 Compatible
VALUE
UNIT
V
V
V
mA
W
°C
-55 to +200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
SYMBOL
V
(BR)CBO
MIN.
120
TYP.
MAX.
UNIT
V
V
V
100
100
1.25
1.8
5000
10000
nA
nA
V
V
CONDITIONS.
I
C
=10
µ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0*
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=8V, I
C
=0
I
C
=800mA, I
B
=8mA*
IC=800mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
V
CEO(SUS)
100
V
(BR)EBO
I
CBO
10
Emitter Cut-Off Current I
EBO
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
CE(sat)
V
BE(on)
Static Forward Current h
FE
Transfer Ratio
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
µ
s. Duty cycle
2%
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