电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

FXT38CSTZ

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FXT38CSTZ概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

FXT38CSTZ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)10000
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.25 V
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 – SEPT 93
FEATURES
* 60 Volt V
CEO
* Gain of 10K at I
C
=0.5 Amp
FXT38C
B
C
E
REFER TO BCX38 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
80
60
10
2
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
UNIT
V
V
V
A
mA
W
°C
800
1
-55 to +200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
I
CBO
MIN.
80
60
10
100
100
1.25
1.8
5000
10000
TYP.
MAX.
UNIT
V
V
V
nA
nA
V
V
CONDITIONS.
I
C
=10
µ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=8V, I
C
=0
I
C
=800mA, I
B
=8mA*
I
C
=800mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
3-29
Emitter Cut-Off Current I
EBO
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
CE(sat)
V
BE(on)
Static Forward Current h
FE
Transfer Ratio
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
2%

FXT38CSTZ相似产品对比

FXT38CSTZ FXT38CSTOA FXT38CSSTOB
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 ,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
JESD-609代码 e0 e0 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A -
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V -
配置 DARLINGTON DARLINGTON -
最小直流电流增益 (hFE) 10000 10000 -
JESD-30 代码 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 200 °C 200 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE IN-LINE -
极性/信道类型 NPN NPN -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO -
端子形式 WIRE WIRE -
端子位置 SINGLE SINGLE -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
VCEsat-Max 1.25 V 1.25 V -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2536  1104  1101  2037  2484  52  23  42  51  50 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved