1G bits DDR2 SDRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ELPIDA |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, |
| 针数 | 60 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.45 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
| 长度 | 10.5 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 60 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 95 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 8 mm |
| EDE1108AFBG-6E-F | EDE1108AFBG-8E-F | EDE1108AFBG-8G-F | EDE1108AFBG | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM |
| 厂商名称 | ELPIDA | ELPIDA | ELPIDA | - |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | - |
| 包装说明 | TFBGA, | TFBGA, | TFBGA, | - |
| 针数 | 60 | 60 | 60 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | - |
| 最长访问时间 | 0.45 ns | 0.4 ns | 0.4 ns | - |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | - |
| 长度 | 10.5 mm | 10.5 mm | 10.5 mm | - |
| 内存密度 | 1073741824 bi | 1073741824 bi | 1073741824 bi | - |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | - |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 60 | 60 | 60 | - |
| 字数 | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | - |
| 字数代码 | 128000000 | 128000000 | 128000000 | - |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 95 °C | 95 °C | 95 °C | - |
| 组织 | 128MX8 | 128MX8 | 128MX8 | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | - |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | - |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | - |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | - |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | - |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm | - |
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