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EDE1108AFBG

产品描述1G bits DDR2 SDRAM
文件大小692KB,共78页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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EDE1108AFBG概述

1G bits DDR2 SDRAM

EDE1108AFBG相似产品对比

EDE1108AFBG EDE1108AFBG-8E-F EDE1108AFBG-8G-F EDE1108AFBG-6E-F
描述 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM
厂商名称 - ELPIDA ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 - BGA BGA BGA
包装说明 - TFBGA, TFBGA, TFBGA,
针数 - 60 60 60
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 - MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 - 0.4 ns 0.4 ns 0.45 ns
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 - R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60
长度 - 10.5 mm 10.5 mm 10.5 mm
内存密度 - 1073741824 bi 1073741824 bi 1073741824 bi
内存集成电路类型 - DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 - 8 8 8
功能数量 - 1 1 1
端口数量 - 1 1 1
端子数量 - 60 60 60
字数 - 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 - 128000000 128000000 128000000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 95 °C 95 °C 95 °C
组织 - 128MX8 128MX8 128MX8
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 - YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) - 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) - 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) - 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 - YES YES YES
技术 - CMOS CMOS CMOS
温度等级 - OTHER OTHER OTHER
端子形式 - BALL BALL BALL
端子节距 - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 - 8 mm 8 mm 8 mm

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