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FF600R16KF1

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共2页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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FF600R16KF1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel,

FF600R16KF1规格参数

参数名称属性值
厂商名称EUPEC [eupec GmbH]
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)600 A
集电极-发射极最大电压1600 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码R-XUFM-X10
元件数量2
端子数量10
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1350 ns
标称接通时间 (ton)1100 ns
Base Number Matches1

 
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