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BYM36AGP

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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BYM36AGP概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

BYM36AGP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流65 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BYM36AGP THRU BYM36EGP
SINTERED GLASS JUNCTION
FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE:200V to 1000V
CURRENT: 3.0A
FEATURE
High temperature metallurgically bonded construction
Sintered glass cavity free junction
Capability of meeting environmental standard of
MIL-S-19500
High temperature soldering guaranteed
350°C /10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension
Low leakage current Typical Ir<0.1µA
Excellent stability
Guaranteed avalanche energy absorption capability
DO-201AD
MECHANICAL DATA
Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame
Retardant Epoxy
Polarity: color band denotes cathode
Mounting position: any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Vrrm
Vrms
Vdc
BYM36
AGP
200
140
200
300
BYM36
BGP
400
280
400
500
BYM36
CGP
600
420
600
700
3.0
65
BYM36
DGP
800
560
800
900
BYM36
EGP
1000
700
1000
units
V
V
V
V
A
A
reverse avalanche breakdown voltage
at I
R
= 0.1 mA
Maximum Average Forward Rectified
Current 10mm lead length at Ta =55
°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at rated Forward
Current and 25
°C
I
F
=3.0A
non-repetitive peak reverse avalanche energy
(Note 1)
Maximum DC Reverse Current
Ta =25
°C
at rated DC blocking voltage
Ta =125
°C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance
(Note 3)
(Note 4)
V
(BR)R
(min)
If(av)
Ifsm
Vf
Ersm
Ir
Trr
Cj
Rθja
Tstg, Tj
1100
1.6
10
10.0
150.0
100
75.0
20.0
-65 to +175
1.78
V
mJ
µ
A
µ
A
150
nS
pF
Storage and Operating Junction Temperature
°C
/W
°C
Note: 1. L = 120 mH; Tj = Tj max prior to surge; inductive load switched off
2.Reverse Recovery Condition If
=0.5A,
Ir =1.0A, Irr =0.25A
3.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
4.Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8”lead length, P.C. Board Mounted
Rev.A1
www.gulfsemi.com

BYM36AGP相似产品对比

BYM36AGP BYM36BGP BYM36DGP BYM36EGP
描述 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
厂商名称 Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.6 V 1.78 V 1.78 V
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 65 A 65 A 65 A 65 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 200 V 400 V 800 V 1000 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1 1
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