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SBYG10DG

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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SBYG10DG概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN

SBYG10DG规格参数

参数名称属性值
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.15 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流1 µA
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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SBYG10DG THRU SBYG10MG
SURFACE MOUNT FAST
SWITCHING RECTIFIER
VOLTAGE:200V to 1000V
CURRENT: 1.5A
FEATURE
For surface mounted application
High surge current capability
Glass passivated chip
High temperature soldering guaranteed
260℃/10sec/at terminals
SMA/DO-214AC
MECHANICAL DATA
Terminal:Plated Terminal, solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case:Molded with UL-94 class V-0 recognized
Flame Retardant Epoxy
Polarity:color band denotes cathode end
Marking:
G10D G10G G10J G10K G10M
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single—phase, half
—wave,
60HZ, resistive or inductive load rating at 25℃, unless otherwise stated,
for capacitive load, derate current by 20%)
Symbol
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current 10ms single half sine-
wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at rated Forward current
Ta =25℃
Pulse energy in avalanche mode, non repetitive
(inductive load switch off) at I
(BR)R
=1A
Maximum DC Reverse Current
Ta =25℃
at rated DC blocking voltage
Ta =125℃
Typical Thermal Resistance
(Note 1)
(Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Note:
1. T
L
=const
2. mounted on epoxy-glass hard tissue
SBYG10
DG
200
140
200
SBYG10
GG
400
280
400
SBYG10
JG
600
420
600
1.5
30
1.15
20
1.0
40.0
25
150
-50 to +150
SBYG10
KG
800
560
800
SBYG10
MG
1000
700
1000
units
V
V
V
A
A
V
mJ
μA
K/W
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
Er
Ir
Rth(jl)
Rth(ja)
Tj, Tstg
Rev.A3

SBYG10DG相似产品对比

SBYG10DG SBYG10JG SBYG10GG
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN
厂商名称 Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.15 V 1.15 V 1.15 V
JEDEC-95代码 DO-214AC DO-214AC DO-214AC
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C -50 °C
最大输出电流 1.5 A 1.5 A 1.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 200 V 600 V 400 V
最大反向电流 1 µA 1 µA 1 µA
表面贴装 YES YES YES
端子形式 C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1
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