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BZX85C2V7

产品描述Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.4%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共5页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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BZX85C2V7概述

Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.4%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41,

BZX85C2V7规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE, VERY HIGH STABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
膝阻抗最大值400 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压2.7 V
最大反向电流150 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
电压温度Coeff-Max-1.35 mV/°C
最大电压容差7.4%
工作测试电流80 mA
Base Number Matches1

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BZX85C...
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D
D
D
D
D
Sharp edge in reverse characteristics
Low reverse current
Low noise
Very high stability
Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
94 9369
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25
°
C
Type
Symbol
P
V
T
j
T
stg
Value
1.3
175
–65...+175
Unit
W
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=4mm, T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
110
Unit
K/W
Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1
Unit
V
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