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5962-8601501YX: 产品描述Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22,; 产品类别存储存储; 文件大小623KB，共24页; 制造商TEMIC; 官网地址http://www.temic.de/

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5962-8601501YX概述

Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22,

5962-8601501YX规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T22
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端子数量	22
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

5962-8601501YX相似产品对比

	5962-8601501YX	5962-8601505ZX	5962-8601501ZX	5962-8601507YA	5962-8601503ZX	5962-8601507YX	5962-8601507ZX	5962-8601507ZC
描述	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22,	Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CQCC22,	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CQCC22,	Standard SRAM, 64KX1, 70ns, CMOS, 0.300 INCH, CERDIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CQCC22,	Standard SRAM, 64KX1, 70ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 70ns, CMOS, CQCC22,	Standard SRAM, 64KX1, 70ns, CMOS,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	35 ns	55 ns	35 ns	70 ns	45 ns	70 ns	70 ns	70 ns
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	QCCN	QCCN	DIP	QCCN	DIP	QCCN	QCCN
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	QUAD
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	-	SEPARATE	SEPARATE	-	-
JESD-30 代码	R-GDIP-T22	R-CQCC-N22	R-CQCC-N22	-	R-CQCC-N22	R-XDIP-T22	R-CQCC-N22	-
端子数量	22	22	22	-	22	22	22	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-	-
封装等效代码	DIP22,.3	LCC22,.3X.5	LCC22,.3X.5	-	LCC22,.3X.5	DIP22,.3	-	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
电源	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V	-	-
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	-	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	-	-
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	-	0.02 A	0.02 A	-	-
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	-	-
最大压摆率	0.09 mA	0.105 mA	0.09 mA	-	0.105 mA	0.105 mA	-	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-

5962-8601501YX

5962-8601501YX概述

5962-8601501YX规格参数

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