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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> GBJ607
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GBJ607

产品描述6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小64KB，共2页
制造商Uniohm Corp.
官网地址http://www.uniohm.com.tw/
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GBJ607概述

6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBJ601
THRU
GBJ607
SINGLE PHASE 6.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
6.0 Amperes
GBJ
1.193(30.3)
1.169(29.7)
.134(3.4)
.122(3.1)
.203(5.2)
.189(4.8)
.150(3.8)
.134(3.4)
.441(11.2)
.425(10.8)
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Mounting position: Any
.094(2.4)
.078(2.0)
.043(1.1)
.035(0.9)
~
~
.165(4.2)
.150(3.8)
.708(18.0)
.669(17.0)
.800(20.3)
.776(19.7)
.189
(4.8)
.402(10.2) .303(7.7) .303(7.7)
SPACING
.386(9.8) .287(7.3) .287(7.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
+
.114(2.9)
.098(2.5)
.031(0.8)
.023(0.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
.375"(9.5mm) Lead Length at Tc=110 C (With heatsink)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 3.0A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance Rq
JC
(Note 1)
Typical Thermal Resistance Rq
JL
(Note 2)
Operating Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
STG
NOTES:
GBJ601 GBJ602 GBJ603 GBJ604 GBJ605 GBJ606 GBJ607
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
6.0
2.8
170
1.0
5.0
500
3.4
5.0
-55
-55
+150
+150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
V
mA
mA
C/W
C/W
C
C
Ta=100 C
1. Thermal Resistance from Junction to Case with device mounted on 75mm x 75mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
2. Thermal Resistance from Junction to Lead without Heatsink.

GBJ607相似产品对比

GBJ607 GBJ602 GBJ604 GBJ601 GBJ603 GBJ606 GBJ605
描述 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 - Uniohm Corp. Uniohm Corp. Uniohm Corp. - Uniohm Corp. -
包装说明 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 -
针数 - 4 4 4 4 4 -
制造商包装代码 - GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ -
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow unknow -
最小击穿电压 - 100 V 400 V 50 V 200 V 800 V -
配置 - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS -
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 -
最大非重复峰值正向电流 - 170 A 170 A 170 A 170 A 170 A -
元件数量 - 4 4 4 4 4 -
相数 - 1 1 1 1 1 -
端子数量 - 4 4 4 4 4 -
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -
最大输出电流 - 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
最大重复峰值反向电压 - 100 V 400 V 50 V 200 V 800 V -
表面贴装 - NO NO NO NO NO -
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -

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