GBJ602: 产品描述6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小64KB，共2页; 制造商Uniohm Corp.; 官网地址http://www.uniohm.com.tw/; 标准

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GBJ602概述

6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBJ602规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Uniohm Corp.
包装说明	R-PSFM-T4
针数	4
制造商包装代码	GBJ
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	100 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流	170 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	2.8 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	100 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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GBJ601

THRU

GBJ607

SINGLE PHASE 6.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS

VOLTAGE RANGE

50 to 1000 Volts

CURRENT

6.0 Amperes

GBJ

1.193(30.3)

1.169(29.7)

.134(3.4)

.122(3.1)

.203(5.2)

.189(4.8)

.150(3.8)

.134(3.4)

.441(11.2)

.425(10.8)

FEATURES

* Ideal for printed circuit board

* Low forward voltage

* Low leakage current

* Mounting position: Any

.094(2.4)

.078(2.0)

.043(1.1)

.035(0.9)

.165(4.2)

.150(3.8)

.708(18.0)

.669(17.0)

.800(20.3)

.776(19.7)

.189

(4.8)

.402(10.2) .303(7.7) .303(7.7)

SPACING

.386(9.8) .287(7.3) .287(7.3)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.

Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

.114(2.9)

.098(2.5)

.031(0.8)

.023(0.6)

Dimensions in inches and (millimeters)

TYPE NUMBER

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

.375"(9.5mm) Lead Length at Tc=110 C (With heatsink)

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 3.0A D.C.

Maximum DC Reverse Current

Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Thermal Resistance Rq

(Note 1)

Typical Thermal Resistance Rq

(Note 2)

Operating Temperature Range, T

Storage Temperature Range, T

STG

NOTES:

GBJ601 GBJ602 GBJ603 GBJ604 GBJ605 GBJ606 GBJ607

UNITS

100

200

140

200

400

280

400

6.0

2.8

170

1.0

5.0

500

3.4

5.0

-55

+150

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

C/W

Ta=100 C

1. Thermal Resistance from Junction to Case with device mounted on 75mm x 75mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.

2. Thermal Resistance from Junction to Lead without Heatsink.

GBJ602相似产品对比

	GBJ602	GBJ604	GBJ601	GBJ603	GBJ607	GBJ606	GBJ605
描述	6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2.8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	-	符合	-
厂商名称	Uniohm Corp.	Uniohm Corp.	Uniohm Corp.	-	-	Uniohm Corp.	-
包装说明	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	-	R-PSFM-T4	-
针数	4	4	4	4	-	4	-
制造商包装代码	GBJ	GBJ	GBJ	GBJ	-	GBJ	-
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	-	unknow	-
最小击穿电压	100 V	400 V	50 V	200 V	-	800 V	-
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	-
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE	-
JESD-30 代码	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	-	R-PSFM-T4	-
最大非重复峰值正向电流	170 A	170 A	170 A	170 A	-	170 A	-
元件数量	4	4	4	4	-	4	-
相数	1	1	1	1	-	1	-
端子数量	4	4	4	4	-	4	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	150 °C	-
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-
最大输出电流	2.8 A	2.8 A	2.8 A	2.8 A	-	2.8 A	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-
最大重复峰值反向电压	100 V	400 V	50 V	200 V	-	800 V	-
表面贴装	NO	NO	NO	NO	-	NO	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-

GBJ602

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