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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> GBJ807
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GBJ807

产品描述8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小64KB，共2页
制造商Uniohm Corp.
官网地址http://www.uniohm.com.tw/
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GBJ807概述

8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBJ801
THRU
GBJ807
SINGLE PHASE 8.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
8.0 Amperes
GBJ
1.193(30.3)
1.169(29.7)
.134(3.4)
.122(3.1)
.203(5.2)
.189(4.8)
.150(3.8)
.134(3.4)
.441(11.2)
.425(10.8)
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Mounting position: Any
.094(2.4)
.078(2.0)
.043(1.1)
.035(0.9)
~
~
.165(4.2)
.150(3.8)
.708(18.0)
.669(17.0)
.800(20.3)
.776(19.7)
.189
(4.8)
.402(10.2) .303(7.7) .303(7.7)
SPACING
.386(9.8) .287(7.3) .287(7.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
+
.114(2.9)
.098(2.5)
.031(0.8)
.023(0.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current at Tc=110 C (Without heatsink)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 4.0A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance Rq
JC
(Note 1)
Typical Thermal Resistance Rq
JL
(Note 2)
Operating Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
STG
NOTES:
GBJ801 GBJ802 GBJ803 GBJ804 GBJ805 GBJ806 GBJ807
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
2.9
170
1.0
5.0
500
2.8
5.5
-55
-55
+150
+150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
V
mA
mA
C/W
C/W
C
C
Ta=100 C
1. Thermal Resistance from Junction to Case with device mounted on 100mm x 100mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
2. Thermal Resistance from Junction to Lead without Heatsink.

GBJ807相似产品对比

GBJ807 GBJ802 GBJ804 GBJ803 GBJ806 GBJ805
描述 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 - Uniohm Corp. Uniohm Corp. Uniohm Corp. Uniohm Corp. -
包装说明 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 -
针数 - 4 4 4 4 -
制造商包装代码 - GBJ GBJ GBJ GBJ -
Reach Compliance Code - unknown unknown unknow unknow -
最小击穿电压 - 100 V 400 V 200 V 800 V -
配置 - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS -
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 -
最大非重复峰值正向电流 - 170 A 170 A 170 A 170 A -
元件数量 - 4 4 4 4 -
相数 - 1 1 1 1 -
端子数量 - 4 4 4 4 -
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -
最大输出电流 - 2.9 A 2.9 A 2.9 A 2.9 A -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
最大重复峰值反向电压 - 100 V 400 V 200 V 800 V -
表面贴装 - NO NO NO NO -
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -

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