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GBJ804

产品描述8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小64KB,共2页
制造商Uniohm Corp.
官网地址http://www.uniohm.com.tw/
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GBJ804概述

8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBJ804规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Uniohm Corp.
包装说明R-PSFM-T4
针数4
制造商包装代码GBJ
Reach Compliance Codeunknown
最小击穿电压400 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流170 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2.9 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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GBJ801
THRU
GBJ807
SINGLE PHASE 8.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
8.0 Amperes
GBJ
1.193(30.3)
1.169(29.7)
.134(3.4)
.122(3.1)
.203(5.2)
.189(4.8)
.150(3.8)
.134(3.4)
.441(11.2)
.425(10.8)
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Mounting position: Any
.094(2.4)
.078(2.0)
.043(1.1)
.035(0.9)
~
~
.165(4.2)
.150(3.8)
.708(18.0)
.669(17.0)
.800(20.3)
.776(19.7)
.189
(4.8)
.402(10.2) .303(7.7) .303(7.7)
SPACING
.386(9.8) .287(7.3) .287(7.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
+
.114(2.9)
.098(2.5)
.031(0.8)
.023(0.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current at Tc=110 C (Without heatsink)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 4.0A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance Rq
JC
(Note 1)
Typical Thermal Resistance Rq
JL
(Note 2)
Operating Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
STG
NOTES:
GBJ801 GBJ802 GBJ803 GBJ804 GBJ805 GBJ806 GBJ807
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
2.9
170
1.0
5.0
500
2.8
5.5
-55
-55
+150
+150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
V
mA
mA
C/W
C/W
C
C
Ta=100 C
1. Thermal Resistance from Junction to Case with device mounted on 100mm x 100mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
2. Thermal Resistance from Junction to Lead without Heatsink.

GBJ804相似产品对比

GBJ804 GBJ802 GBJ803 GBJ807 GBJ806 GBJ805
描述 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - 符合 -
厂商名称 Uniohm Corp. Uniohm Corp. Uniohm Corp. - Uniohm Corp. -
包装说明 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 - R-PSFM-T4 -
针数 4 4 4 - 4 -
制造商包装代码 GBJ GBJ GBJ - GBJ -
Reach Compliance Code unknown unknown unknow - unknow -
最小击穿电压 400 V 100 V 200 V - 800 V -
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - SILICON -
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 - R-PSFM-T4 -
最大非重复峰值正向电流 170 A 170 A 170 A - 170 A -
元件数量 4 4 4 - 4 -
相数 1 1 1 - 1 -
端子数量 4 4 4 - 4 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C - -55 °C -
最大输出电流 2.9 A 2.9 A 2.9 A - 2.9 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
最大重复峰值反向电压 400 V 100 V 200 V - 800 V -
表面贴装 NO NO NO - NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
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