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GBU8G

产品描述8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小38KB,共1页
制造商重庆平伟实业
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GBU8G概述

8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.
GBU8A THRU GBU8M
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE:50-1000V
CURRENT:8.0A
FEATURES
·Low
leakage
·Low
forward voltage
·Surge
overload ratings-200 Amperes
GBU
MECHANICAL DATA
·Case:
Molded plastic
·Epoxy:
UL 94V-0 rate flame retardant
·Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
·Polarity:
Symbols molded or marked on body
·Mounting
position:
Any
·Weight:
6.6 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
GBU8A GBU8B GBU8D GBU8G GBU8J GBU8K GBU8M
units
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Current at T
C
=100°C
rectified Output
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
V
F
50
100
200
400
600
800
1000
35
50
70
100
140
200
280
400
420
600
560
800
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
8.0
200
1.0
5.0
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rate load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage Drop per element at
4.0 A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
per element
@ T
A
=25°C
I
R
@ T
A
=125°C
500
240
60
2.7
I
2
t
I
2
t Rating for Fusing (t<8.3ms)
C
J
Typical Junction Capacitance per Element(Note
1)
Typical Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJA
(Note 2)
Notes: 1.
Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
A
2
S
pF
°C/W
2. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 150 x 150 x 1.6mm copper plate heat sink.
PDF
文件½用
"pdfFactory Pro"
试用版本创建
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