datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> 2N6172
PDF数据手册

2N6172

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 11000mA I(T), 200V V(DRM), 1 Element
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小714KB，共10页
制造商Loras Industries Inc
相似器件已查找到10个与2N6172功能相似器件
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2N6172概述

Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 11000mA I(T), 200V V(DRM), 1 Element

2N6172规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流40 mA
最大直流栅极触发电压1.6 V
最大维持电流50 mA
JESD-30 代码O-MUPM-D2
最大漏电流5.5 mA
通态非重复峰值电流350 A
元件数量1
端子数量2
最大通态电流11000 A
最高工作温度100 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流35 A
重复峰值关态漏电流最大值10 µA
断态重复峰值电压200 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

2N6172相似产品对比

2N6172 2N6399 2N6173 2N6174 C106M1 C106D1 S6001L S4016R S0525R S0308F1
描述 Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 11000mA I(T), 200V V(DRM), 1 Element Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 5000mA I(T), 800V V(DRM), 1 Element, TO-220AB Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 11000mA I(T), 400V V(DRM), 1 Element Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 11000mA I(T), 600V V(DRM), 1 Element Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 4000mA I(T), 600V V(DRM), 1 Element, TO-202AB Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 4000mA I(T), 400V V(DRM), 1 Element, TO-202AB Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 600V V(DRM), 1 Element, TO-220AB Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 16000mA I(T), 400V V(DRM), 1 Element, TO-220AB Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25000mA I(T), 50V V(DRM), 1 Element, TO-220AB Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 30V V(DRM), 1 Element, TO-202AB
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ANODE ISOLATED ISOLATED ANODE ANODE ISOLATED ANODE ANODE ANODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 40 mA 30 mA 40 mA 40 mA 0.2 mA 0.2 mA 10 mA 30 mA 30 mA 15 mA
最大直流栅极触发电压 1.6 V 1.5 V 1.6 V 1.6 V 0.8 V 0.8 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 50 mA 35 mA 50 mA 50 mA 3 mA 3 mA 20 mA 40 mA 40 mA 30 mA
JESD-30 代码 O-MUPM-D2 R-PSFM-T3 O-MUPM-D2 O-MUPM-D2 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大漏电流 5.5 mA 2 mA 5 mA 5 mA 0.1 mA 0.1 mA 1 mA 0.5 mA 1 mA 0.2 mA
通态非重复峰值电流 350 A 100 A 350 A 350 A 20 A 20 A 30 A 160 A 300 A 100 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 3 2 2 3 3 3 3 3 3
最大通态电流 11000 A 5000 A 11000 A 11000 A 4000 A 4000 A 1600 A 16000 A 25000 A 8000 A
最高工作温度 100 °C 125 °C 100 °C 100 °C 110 °C 110 °C 110 °C 110 °C 110 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 METAL PLASTIC/EPOXY METAL METAL PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR ROUND ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 POST/STUD MOUNT FLANGE MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 35 A 12 A 35 A 35 A 4 A 4 A 1.6 A 16 A 25 A 8 A
重复峰值关态漏电流最大值 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
断态重复峰值电压 200 V 800 V 400 V 600 V 600 V 400 V 600 V 400 V 50 V 30 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG THROUGH-HOLE SOLDER LUG SOLDER LUG THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 UPPER SINGLE UPPER UPPER SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 - POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
是否Rohs认证 - 不符合 - - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
JEDEC-95代码 - TO-220AB - - TO-202AB TO-202AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-202AB
JESD-609代码 - e0 - - e0 e0 e0 e0 e0 e0
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 - - - - Loras Industries Inc Loras Industries Inc Loras Industries Inc Loras Industries Inc Loras Industries Inc Loras Industries Inc

推荐资源

无极性的蓄电池充电电路之二

M65839的应用电路

带锁存的气体、烟雾报警器电路

华艺牌高级往复式电动剃须刀电路图

具有50OHM输入输出阻抗，16DB宽带视频放大器电路

锂离子电池充电器电路图

与2N6172功能相似器件

器件名 厂商 描述
2N6172 Digitron SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTOR
2N6173 Digitron SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTOR
NTE5564 NTE Silicon Controlled Rectifiers (SCR’s)
2N6169 Advanced Semiconductor, Inc. Silicon Controlled Rectifier, 20A I(T)RMS, 6500mA I(T), 400V V(DRM), 1 Element, TO-48, TO-48, 2 PIN
MCR230D3 Motorola ( NXP ) Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, CASE 311-02, 3 PIN
MCR231D3 NXP(恩智浦) SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4
S6420D Loras Industries Inc Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 22000mA I(T), 400V V(DRM), 1 Element
S6420B Loras Industries Inc Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 22000mA I(T), 200V V(DRM), 1 Element
S6035D Loras Industries Inc Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 600V V(DRM), 1 Element
SIPS420 Hutson Industries Silicon Controlled Rectifier, 20A I(T)RMS, 20000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element
xmega的usb口怎么用？
想用atxmega128a1u的usb口实现与pc之间的联系，可没用过，也实在找不到相关资料，有没有哪位大师用过，程序要怎么编？pc上要不要装驱动？...
fourmi Microchip MCU
FPGA三国志
...
至芯科技FPGA大牛 FPGA/CPLD
知名美资企业诚聘：DSP高级工程师（工作地点：成都）
[align=left][b][size=3][color=#000000]Job Description:[/color][/size][/b][/align][align=left][size=3][color=#000000]- Develop and optimize advanced audio algorithm on TI C6X.[/color][/size][/align][al...
nicolecd 求职招聘
基于WINDOWS CENET的1394摄像机驱动程序开发.pdf
基于WINDOWS CENET的1394摄像机驱动程序开发.pdf...
yuandayuan6999 单片机
氮化镓在射频领域的优势会让它一直热下去吗？
与硅和砷化镓等其他半导体材料相比，氮化镓是相对较新的技术，知道吗？对于远距离信号传送或高端功率级别等（例如，雷达、基站收发台、卫星通信、电子战等）高射频和高功率应用，现在，氮化镓已经成为优先选择。为何氮化镓性能优于其他半导体材料呢？这里，给大家谈一下，氮化镓在射频领域的优势。主要有以下几点：1、高击穿电场：由于氮化镓拥有大能隙，因此氮化镓材料也拥有高击穿电场，所以氮化镓器件的工作电压可以远高于其他...
alan000345 RF/无线
有关三星ＡＲＭ芯片的问题，请高手帮助！！！！！
请问一下，三星的s3c2500或s3c4510这两块芯片是否带有休眠功能，找了半天芯片手册好象没有找到电源管理的功能,就是有一个power mode的选择，可以选：normal,slow,idle,power off等模式，请各位高手解惑！！！！！！！！！！...
ryzhou 嵌入式系统
器件捷径:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

  1. AM29BL162CB-80DGH1
  2. RCC65DRAN
  3. ABM9-12.000MHZ-33-R080-B-2-Z-T
  4. 240-031-2-25SPG1S
  5. M55342E11B459APT1
  6. ACVX1240-200.000MHZ-L-H-N25-Q10
  7. 199D335X9035B6V1E3
  8. TAZG106M25CRSZ0800
  9. H431CS
  10. SB30100LCT_T0_10001
  11. P6SMBJ220CAT/R13
  12. RT1A471M0810

开源项目推荐更多

  1. STEVAL-ILL065V1，基于 LED5000 3A LED 驱动器的 BB+ 拓扑评估板
  2. 使用 Murata Manufacturing 的 CMWX1ZZABZ-TEMP 的参考设计
  3. DC1562A-C，LTC6992-1 演示板，10 kHz，0 100% 占空比
  4. LED8x16 点阵
  5. A1前级音调板（单个电位器）
  6. LCD1602频率计开源
  7. 使用 Seeed Technology Co.,Ltd 的 XVF3000-TQ128-C 的参考设计
  8. LTC4007-1 - 4A、高效率、锂离子电池充电器的典型应用
  9. 极限TP4056充电模块
  10. NCP301HSN27T1 2.7V 窗口电压检测器的典型应用

热门活动更多

  1. 30套RV1106 Linux开发板（带摄像头），邀您动手挑战边缘AI~
  2. 安世半导体理想二极管与负载开关，保障物联网应用的稳健高效运行
  3. 报名直播赢【双肩包、京东卡、水杯】| 高可靠性IGBT的新选择――安世半导体650V IGBT
  4. PI 电源小课堂|无 DC-DC 变换实现多路高精度输出反激电源
  5. 2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会――深圳、上海站， 火热报名中
  6. 嵌入式工程师AI挑战营（进阶）：基于RV1106部署InsightFace算法，实现多人的实时人脸识别
  7. Follow me第二季第4期来啦！与得捷一起解锁蓝牙/Wi-Fi板【Arduino Nano RP2040 Connect】超能力！
  8. 下载资料赢好礼！看Vicor模块化电源解决方案如何推动创新
  9. 有奖活动 | 英飞凌高密度双相电源模块为高性能运算平台而生！
  10. 免费申请 | 上百份MPS MIE模块，免费试用还有礼！

热门文章更多

  1. ARM的7种工作模式、37个通用寄存器、CPSR程序状态寄存器
  2. TINY4412裸机程序，时钟操作
  3. STM32Keil下编程实现蜂鸣器长鸣
  4. ARM开发板实现双系统引导的一种方法
  5. 变频调速给水方式的适用条件
  6. 自动驾驶动态场景中的SLAM的应用分析

技术资料推荐更多

随便看看

  1. FPGA三国志
  2. 知名美资企业诚聘：DSP高级工程师（工作地点：成都）
  3. 基于WINDOWS CENET的1394摄像机驱动程序开发.pdf
  4. 氮化镓在射频领域的优势会让它一直热下去吗？
  5. 有关三星ＡＲＭ芯片的问题，请高手帮助！！！！！
  6. 运放选型：请大神推荐一款可以放大10MHz、50uV正弦波信号的运放芯片型号？
  7. PCB的惨痛经历，值得工程师借鉴！--转贴
  8. 网页转C 工具 HTML2C
  9. 选择VHDL还是verilog HDL？
  10. 在用自己写的例子程序调试驱动的时候，出现了例子程序不能关闭的现象？

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 155  515  543  953  1537 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved