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MCR231D3

产品描述SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小186KB,共3页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MCR231D3概述

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4

MCR231D3规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
标称电路换相断开时间35 µs
关态电压最小值的临界上升速率100 V/us
最大直流栅极触发电流20 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流100 mA
最大漏电流1 mA
通态非重复峰值电流250 A
最大通态电压1.9 V
最大通态电流25000 A
最高工作温度100 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压400 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

MCR231D3相似产品对比

MCR231D3 MCR230A3 C233B C233F C232D MCR230A
描述 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-203AA SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),25A I(T),TO-203AA SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-203AA SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
标称电路换相断开时间 35 µs 35 µs 25 µs 25 µs 25 µs 35 µs
关态电压最小值的临界上升速率 100 V/us 100 V/us 50 V/us 50 V/us 50 V/us 100 V/us
最大直流栅极触发电流 20 mA 40 mA 9 mA 9 mA 25 mA 40 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 100 mA 100 mA 50 mA 50 mA 50 mA 100 mA
最大漏电流 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA
通态非重复峰值电流 250 A 250 A 250 A 250 A 250 A 250 A
最大通态电压 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最大通态电流 25000 A 25000 A 25000 A 25000 A 25000 A 25000 A
最高工作温度 100 °C 100 °C 100 °C 100 °C 100 °C 100 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 400 V 100 V 200 V 50 V 400 V 100 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
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