SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
标称电路换相断开时间 | 35 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 100 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 20 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.5 V |
最大维持电流 | 100 mA |
最大漏电流 | 1 mA |
通态非重复峰值电流 | 250 A |
最大通态电压 | 1.9 V |
最大通态电流 | 25000 A |
最高工作温度 | 100 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 400 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
MCR231D3 | MCR230A3 | C233B | C233F | C232D | MCR230A | |
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描述 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-203AA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),25A I(T),TO-203AA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-203AA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VAR1/4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
标称电路换相断开时间 | 35 µs | 35 µs | 25 µs | 25 µs | 25 µs | 35 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 100 V/us | 100 V/us | 50 V/us | 50 V/us | 50 V/us | 100 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 20 mA | 40 mA | 9 mA | 9 mA | 25 mA | 40 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
最大维持电流 | 100 mA | 100 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 100 mA |
最大漏电流 | 1 mA | 1 mA | 1 mA | 1 mA | 1 mA | 1 mA |
通态非重复峰值电流 | 250 A | 250 A | 250 A | 250 A | 250 A | 250 A |
最大通态电压 | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
最大通态电流 | 25000 A | 25000 A | 25000 A | 25000 A | 25000 A | 25000 A |
最高工作温度 | 100 °C | 100 °C | 100 °C | 100 °C | 100 °C | 100 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 400 V | 100 V | 200 V | 50 V | 400 V | 100 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
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