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JANTX2N6758

产品描述9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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JANTX2N6758概述

9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

JANTX2N6758规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)150 pF
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)15 A
认证状态Not Qualified
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)90 ns
最大开启时间(吨)80 ns
Base Number Matches1

JANTX2N6758相似产品对比

JANTX2N6758 JANTXV2N6758
描述 9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 150 pF 150 pF
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 75 W 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 15 A 15 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 MILITARY STANDARD (USA) MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装 NO NO
端子面层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 90 ns 90 ns
最大开启时间(吨) 80 ns 80 ns
Base Number Matches 1 1

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