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PJA3416AE_R1_00001

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 5A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小303KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJA3416AE_R1_00001概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 5A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道

PJA3416AE_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.022 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
射频有屏蔽罩的传导杂散比无屏蔽罩的要差5-6dB
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