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2SC3587

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小636KB,共18页
制造商NEC(日电)
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2SC3587概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN,

2SC3587规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明MICROWAVE, X-CXMW-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.035 A
基于收集器的最大容量0.7 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最高频带C BAND
JESD-30 代码X-CXMW-F4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10000 MHz
Base Number Matches1

2SC3587相似产品对比

2SC3587 2SC5013 2SC5008 2SC4095 2SC4228 NE68000
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SC-70, SUPERMINI-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN,
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
Reach Compliance Code unknown compliant unknown compliant compliant unknown
JESD-30 代码 X-CXMW-F4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G3 R-PDSO-G4 R-PDSO-G3 R-XUUC-N2
端子数量 4 4 3 4 3 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE UNCASED CHIP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD
端子位置 UNSPECIFIED DUAL DUAL DUAL DUAL UPPER
包装说明 MICROWAVE, X-CXMW-F4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 -
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE - VERY LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.035 A 0.035 A - 0.035 A 0.035 A 0.035 A
基于收集器的最大容量 0.7 pF 0.8 pF - 0.8 pF 0.7 pF -
集电极-发射极最大电压 10 V 10 V - 10 V 10 V 10 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 C BAND - - ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND C BAND
元件数量 1 1 - 1 1 1
极性/信道类型 NPN NPN - NPN NPN NPN
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10000 MHz 10000 MHz - 10000 MHz 8000 MHz 10000 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
针数 - 4 3 4 3 -

 
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