HB52R329E22-F,HB52R329E22-F pdf中文资料,HB52R329E22-F引脚图,HB52R329E22-F电路-Datasheet-电子工程世界

HB52R329E22-F: 产品描述256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM; 文件大小420KB，共66页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HB52R329E22-F概述

256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM

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HB52R329E22-F

Description

Features

256 MB Registered SDRAM DIMM

32-Mword

72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module

(36 pcs of 16 M

4 Components)

PC100 SDRAM

E0112H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1046A (Z))

Feb. 28, 2001

The HB 52R 329E22 belongs to 8-byte DI MM (D ual In- line Memory Module) fa mily, and has bee n deve loped

as an optimiz ed main memory solution for 8-byte proc essor applica tions. The HB 52R 329E22 is a 16M

2-ba nk S ynchronous Dyna mic R AM Module, mounted 36 piec es of 64-Mbit S DRA M (H M5264405F TB )

sea led in TC P pac kage and 1 piec e of P LL cloc k drive r (2510) , 3 piec es re giste r drive r (162835) , 1 piec e of

inver te r and 1 piec e of ser ia l EEP RO M (2- kbit EEP RO M) for P rese nce De te ct (P D). An outline of the

HB 52R 329E22 is 168-pin socke t type pac kage (dua l lea d out). The ref ore, the HB 52R 329E22 make s high

density mounting possible without surf ace mount tec hnology. The HB 52R 329E22 provide s common data

inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside TCP on the module board.

Note: Do not push the cover or drop the modules in order to protect from mechanical defects, which would be

electrical defects.

•

Fully compatible with : JEDEC standard outline registered 8-byte DIMM

: Intel PCB Reference design (Rev. 1.2)

•

168-pin socket type package (dual lead out)



Outline: 133.37 mm (length)

38.10 mm (Height)

4.80 mm (Thickness)



Lead pitch: 1.27 mm

•

3.3 V power supply

•

Clock frequency: 100 MHz (max)

•

LVTTL interface

•

Data bus width:

72 ECC

•

Single pulsed

RAS

•

4 Banks can operates simultaneously and independently

•

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

•

Programmable burst length: 1/2/4/8/full page

•

2 variations of burst sequence

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

HB52R329E22-F相似产品对比

	HB52R329E22-F	HB52R329E22-A6F	HB52R329E22-B6F
描述	256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM	256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM	256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
是否Rohs认证	-	不符合	不符合
厂商名称	-	ELPIDA	ELPIDA
零件包装代码	-	DIMM	DIMM
包装说明	-	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	-	168	168
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
访问模式	-	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	-	7.5 ns	7.5 ns
其他特性	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	-	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	-	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	-	2415919104 bi	2415919104 bi
内存集成电路类型	-	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	-	72	72
湿度敏感等级	-	1	1
功能数量	-	1	1
端口数量	-	1	1
端子数量	-	168	168
字数	-	33554432 words	33554432 words
字数代码	-	32000000	32000000
工作模式	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	-	55 °C	55 °C
组织	-	32MX72	32MX72
输出特性	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	-	DIMM	DIMM
封装等效代码	-	DIMM168	DIMM168
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	-	225	225
电源	-	3.3 V	3.3 V
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	4096	4096
自我刷新	-	YES	YES
最大待机电流	-	0.767 A	0.767 A
最大压摆率	-	3.125 mA	3.125 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	-	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	-	3.3 V	3.3 V
表面贴装	-	NO	NO
技术	-	CMOS	CMOS
温度等级	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	-	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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