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HB52R329E22-A6F

产品描述256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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文件大小420KB,共66页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HB52R329E22-A6F概述

256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM

HB52R329E22-A6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间7.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度2415919104 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度72
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织32MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.767 A
最大压摆率3.125 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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HB52R329E22-F
EO
Description
Features
256 MB Registered SDRAM DIMM
32-Mword
×
72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module
(36 pcs of 16 M
×
4 Components)
PC100 SDRAM
E0112H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1046A (Z))
Feb. 28, 2001
The HB 52R 329E22 belongs to 8-byte DI MM (D ual In- line Memory Module) fa mily, and has bee n deve loped
as an optimiz ed main memory solution for 8-byte proc essor applica tions. The HB 52R 329E22 is a 16M
×
72
×
2-ba nk S ynchronous Dyna mic R AM Module, mounted 36 piec es of 64-Mbit S DRA M (H M5264405F TB )
sea led in TC P pac kage and 1 piec e of P LL cloc k drive r (2510) , 3 piec es re giste r drive r (162835) , 1 piec e of
inver te r and 1 piec e of ser ia l EEP RO M (2- kbit EEP RO M) for P rese nce De te ct (P D). An outline of the
HB 52R 329E22 is 168-pin socke t type pac kage (dua l lea d out). The ref ore, the HB 52R 329E22 make s high
density mounting possible without surf ace mount tec hnology. The HB 52R 329E22 provide s common data
inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside TCP on the module board.
Note: Do not push the cover or drop the modules in order to protect from mechanical defects, which would be
electrical defects.
Fully compatible with : JEDEC standard outline registered 8-byte DIMM
: Intel PCB Reference design (Rev. 1.2)
168-pin socket type package (dual lead out)
Outline: 133.37 mm (length)
×
38.10 mm (Height)
×
4.80 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
3.3 V power supply
Clock frequency: 100 MHz (max)
LVTTL interface
Data bus width:
×
72 ECC
Single pulsed
RAS
4 Banks can operates simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length: 1/2/4/8/full page
2 variations of burst sequence
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
L
o
Pr
du
ct

HB52R329E22-A6F相似产品对比

HB52R329E22-A6F HB52R329E22-F HB52R329E22-B6F
描述 256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM 256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM 256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
厂商名称 ELPIDA - ELPIDA
零件包装代码 DIMM - DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 - DIMM, DIMM168
针数 168 - 168
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 7.5 ns - 7.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz - 100 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 - R-XDMA-N168
内存密度 2415919104 bi - 2415919104 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE - SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 - 72
湿度敏感等级 1 - 1
功能数量 1 - 1
端口数量 1 - 1
端子数量 168 - 168
字数 33554432 words - 33554432 words
字数代码 32000000 - 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C - 55 °C
组织 32MX72 - 32MX72
输出特性 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM
封装等效代码 DIMM168 - DIMM168
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 - 225
电源 3.3 V - 3.3 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
刷新周期 4096 - 4096
自我刷新 YES - YES
最大待机电流 0.767 A - 0.767 A
最大压摆率 3.125 mA - 3.125 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V - 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V
表面贴装 NO - NO
技术 CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD - NO LEAD
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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