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HB54A2569F1: 产品描述256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM; 文件大小180KB，共17页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HB54A2569F1概述

256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM

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DATA SHEET

256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM

HB54A2569F1 (32M words

72 bits, 1 Bank)

HB54A5129F2 (64M words

72 bits, 2 Banks)

Description

The HB54A2569F1, HB54A5129F2 are Double Data

Rate (DDR) SDRAM Module, mounted 256M bits DDR

SDRAM (HM5425801BTT) sealed in TSOP package, 1

piece of PLL clock driver, 2 pieces of register driver

and 1 piece of serial EEPROM (2k bits EEPROM) for

Presence Detect (PD).

The HB54A2569F1 is organized as 32M

1 bank

mounted 9 pieces of 256M bits DDR SDRAM. The

HB54A5129F2 is organized as 32M

2 banks

mounted 18 pieces of 256M bits DDR SDRAM. Read

and write operations are performed at the cross points

of the CK and the /CK. This high-speed data transfer

is realized by the 2 bits prefetch-pipelined architecture.

Data strobe (DQS) both for read and write are available

for high speed and reliable data bus design. By setting

extended mode register, the on-chip Delay Locked

Loop (DLL) can be set enable or disable. An outline of

the products is 184-pin socket type package (dual lead

out).

Therefore, it makes high density mounting

possible without surface mount technology. It provides

common data inputs and outputs.

Decoupling

capacitors are mounted beside each TSOP on the

module board.

Features

•

184-pin socket type package (dual lead out)



Outline: 133.35mm (Length)

43.18mm (Height)

4.00mm (Thickness)



Lead pitch: 1.27mm

•

2.5V power supply (VCC/VCCQ)

•

SSTL-2 interface for all inputs and outputs

•

Clock frequency: 143MHz/133MHz/125MHz (max.)

•

Data inputs, outputs and DM are synchronized with

DQS

•

4 banks can operate simultaneously and

independently (Component)

•

Burst read/write operation

•

Programmable burst length: 2, 4, 8



Burst read stop capability

•

Programmable burst sequence



Sequential



Interleave

•

Start addressing capability



Even and Odd

•

Programmable /CAS latency (CL): 3, 3.5

•

8192 refresh cycles: 7.8µs (8192/64ms)

•

2 variations of refresh



Auto refresh



Self refresh

Document No. E0091H40 (Ver. 4.0)

Date Published September 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida

Memory, Inc. 2001-2002

Hitachi,

Ltd. 2001

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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描述	256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM	256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM	256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM	256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM	256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM	256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM	256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合
厂商名称	-	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	-	ELPIDA	ELPIDA
零件包装代码	-	DIMM	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM
包装说明	-	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	-	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	-	184	184	184	-	184	184
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow	unknow	-	unknown	unknow
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
访问模式	-	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	-	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	-	0.7 ns	0.7 ns	0.8 ns	-	0.7 ns	0.8 ns
其他特性	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	-	133 MHz	143 MHz	125 MHz	-	133 MHz	125 MHz
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	-	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	-	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	-	4831838208 bi	4831838208 bi	4831838208 bi	-	2415919104 bit	2415919104 bi
内存集成电路类型	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	-	72	72	72	-	72	72
湿度敏感等级	-	1	1	1	-	1	1
功能数量	-	1	1	1	-	1	1
端口数量	-	1	1	1	-	1	1
端子数量	-	184	184	184	-	184	184
字数	-	67108864 words	67108864 words	67108864 words	-	33554432 words	33554432 words
字数代码	-	64000000	64000000	64000000	-	32000000	32000000
工作模式	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	-	55 °C	55 °C	55 °C	-	55 °C	55 °C
组织	-	64MX72	64MX72	64MX72	-	32MX72	32MX72
输出特性	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	-	DIMM	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM
封装等效代码	-	DIMM184	DIMM184	DIMM184	-	DIMM184	DIMM184
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	-	225	225	225	-	225	225
电源	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	8192	8192	8192	-	8192	8192
自我刷新	-	YES	YES	YES	-	YES	YES
最大压摆率	-	2.726 mA	2.869 mA	2.584 mA	-	2.321 mA	2.224 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
表面贴装	-	NO	NO	NO	-	NO	NO
技术	-	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	-	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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