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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HB54A5129F2U-B75B
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HB54A5129F2U-B75B

产品描述256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM
产品类别存储    存储   
文件大小189KB，共17页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HB54A5129F2U-B75B概述

256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM

HB54A5129F2U-B75B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度4831838208 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织64MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率2.726 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM
HB54A2569F1U (32M words
×
72 bits, 1 Bank)
HB54A5129F2U (64M words
×
72 bits, 2 Banks)
Description
The HB54A2569F1U, HB54A5129F2U are Double
Data Rate (DDR) SDRAM Module, mounted 256M bits
DDR SDRAM (HM5425801BTT) sealed in TSOP
package, and 1 piece of serial EEPROM (2k bits
EEPROM) for Presence Detect (PD).
The HB54A2569F1U is organized as 32M
×
72
×
1
bank mounted 9 pieces of 256M bits DDR SDRAM.
The HB54A5129F2U is organized as 32M
×
72
×
2
banks mounted 18 pieces of 256M bits DDR SDRAM.
Read and write operations are performed at the cross
points of the CK and the /CK. This high-speed data
transfer is realized by the 2 bits prefetch-pipelined
architecture. Data strobe (DQS) both for read and
write are available for high speed and reliable data bus
design. By setting extended mode register, the on-chip
Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.
An outline of the products is 184-pin socket type
package (dual lead out). Therefore, it makes high
density mounting possible without surface mount
technology. It provides common data inputs and
outputs. Decoupling capacitors are mounted beside
each TSOP on the module board.
Features
•
184-pin socket type package (dual lead out)
Outline: 133.35mm (Length)
×
30.48mm (Height)
×
4.00mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27mm
•
2.5V power supply (VCC/VCCQ)
•
SSTL-2 interface for all inputs and outputs
•
Clock frequency: 143MHz/133MHz/125MHz (max.)
•
Data inputs, outputs and DM are synchronized with
DQS
•
4 banks can operate simultaneously and
independently (Component)
•
Burst read/write operation
•
Programmable burst length: 2, 4, 8
Burst read stop capability
•
Programmable burst sequence
Sequential
Interleave
•
Start addressing capability
Even and Odd
•
Programmable /CAS latency (CL): 3, 3.5
•
8192 refresh cycles: 7.8µs (8192/64ms)
•
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
EO
Document No. E0206H30 (Ver. 3.0)
Date Published September 2002 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida
Memory, Inc. 2001-2002
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
L
od
Pr
uc
t

HB54A5129F2U-B75B相似产品对比

HB54A5129F2U-B75B HB54A5129F2U HB54A5129F2U-10B HB54A2569F1U-B75B HB54A2569F1U HB54A2569F1U-10B
描述 256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM 256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM 256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM 256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM 256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM 256MB, 512MB Registered DDR SDRAM DIMM
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 ELPIDA - ELPIDA ELPIDA - ELPIDA
零件包装代码 DIMM - DIMM DIMM - DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184 - DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 - DIMM, DIMM184
针数 184 - 184 184 - 184
Reach Compliance Code unknown - unknow unknown - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST - SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns - 0.8 ns 0.7 ns - 0.8 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz - 125 MHz 133 MHz - 125 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 - R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 - R-XDMA-N184
内存密度 4831838208 bit - 4831838208 bi 2415919104 bit - 2415919104 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 - 72 72 - 72
湿度敏感等级 1 - 1 1 - 1
功能数量 1 - 1 1 - 1
端口数量 1 - 1 1 - 1
端子数量 184 - 184 184 - 184
字数 67108864 words - 67108864 words 33554432 words - 33554432 words
字数代码 64000000 - 64000000 32000000 - 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C - 55 °C 55 °C - 55 °C
组织 64MX72 - 64MX72 32MX72 - 32MX72
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM DIMM - DIMM
封装等效代码 DIMM184 - DIMM184 DIMM184 - DIMM184
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） 225 - 225 225 - 225
电源 2.5 V - 2.5 V 2.5 V - 2.5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
刷新周期 8192 - 8192 8192 - 8192
自我刷新 YES - YES YES - YES
最大压摆率 2.726 mA - 2.584 mA 2.321 mA - 2.224 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V - 2.7 V 2.7 V - 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V - 2.3 V 2.3 V - 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V - 2.5 V
表面贴装 NO - NO NO - NO
技术 CMOS - CMOS CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD - NO LEAD
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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