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2N5410.MOD

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin, TO-111, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小56KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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2N5410.MOD概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin, TO-111, 3 PIN

2N5410.MOD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-111
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1

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