电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2N5344.MODR1

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小12KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

2N5344.MODR1概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN

2N5344.MODR1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-213AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 33  294  641  1024  1540 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved