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HM5165405FJ-5: 产品描述64 M EDO DRAM (16-Mword 】 4-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh; 产品类别存储存储; 文件大小249KB，共34页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HM5165405FJ-5概述

64 M EDO DRAM (16-Mword 】 4-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh

HM5165405FJ-5规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ32,.44
针数	32
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0
长度	20.95 mm
内存密度	67108864 bi
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	3.76 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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HM5164405F Series

HM5165405F Series

Description

Features

64 M EDO DRAM (16-Mword

4-bit)

8 k Refresh/4 k Refresh

E0097H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1056C (Z))

Jan. 31, 2001

The HM5164405F S erie s, HM5165405F S erie s ar e 64M-bit dynamic R AMs orga nized as 16, 777,216-w ord

4-bit. The y have re alize d high per forma nce and low powe r by employing C MOS proc ess tec hnology.

HM5164405F S erie s, HM5165405F S erie s off er Extende d Da ta Out (ED O) P age Mode as a high spee d

ac ce ss mode. The y have the pac kage var iation of standa rd 32-pin plastic S OJ and standa rd 32-pin plastic

TSOPII.

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

•

Access time: 50 ns/60 ns (max)

•

Power dissipation



Active: 396 mW/360 mW (max) (HM5164405F Series)

: 468 mW/396 mW (max) (HM5165405F Series)



Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)

: 1.1 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

•

Refresh cycles



RAS-only

refresh

8192 cycles /64 ms (HM5164405F, HM5164405FL)

4096 cycles /64 ms (HM5165405F, HM5165405FL)



CBR/Hidden refresh

4096 cycles /64 ms (HM5164405F, HM5164405FL, HM5165405F, HM5165405FL)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

HM5165405FJ-5相似产品对比

	HM5165405FJ-5	HM5165405FLJ-6	HM5165405FJ-6	HM5165405F	HM5164405F
描述	64 M EDO DRAM (16-Mword 】 4-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh	64 M EDO DRAM (16-Mword 】 4-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh	64 M EDO DRAM (16-Mword 】 4-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh	64 M EDO DRAM (16-Mword 】 4-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh	64 M EDO DRAM (16-Mword 】 4-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	-
厂商名称	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	-	-
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	-	-
包装说明	SOJ, SOJ32,.44	SOJ, SOJ32,.44	SOJ, SOJ32,.44	-	-
针数	32	32	32	-	-
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	-	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	-
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	-	-
最长访问时间	50 ns	60 ns	60 ns	-	-
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	-
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	-	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	-
长度	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm	-	-
内存密度	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	-	-
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	-	-
内存宽度	4	4	4	-	-
功能数量	1	1	1	-	-
端口数量	1	1	1	-	-
端子数量	32	32	32	-	-
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	-	-
字数代码	16000000	16000000	16000000	-	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	-
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	-	-
组织	16MX4	16MX4	16MX4	-	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	-	-
封装等效代码	SOJ32,.44	SOJ32,.44	SOJ32,.44	-	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-
刷新周期	4096	4096	4096	-	-
座面最大高度	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	-	-
自我刷新	NO	YES	NO	-	-
最大待机电流	0.0005 A	0.0003 A	0.0005 A	-	-
最大压摆率	0.13 mA	0.11 mA	0.11 mA	-	-
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	-
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	-	-
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	-
表面贴装	YES	YES	YES	-	-
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	-
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	-	-
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	-
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	-	-

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