IRF640: 产品描述18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小256KB，共6页; 制造商Weitron Technology; 官网地址http://weitron.com.tw/

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IRF640概述

18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

18 A, 200 V, 0.18 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRF640规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Weitron Technology
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow

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IRF640

N-Channel Enhancement

Mode POWER MOSFET

P b

Lead(Pb)-Free

DRAIN CURRENT

DRAIN

18 AMPERES

DRAIN SOURCE VOLTAGE

200 VOLTAGE

1 GATE

Features:

*Super High Dense Cell Design For Low R

DS(ON)

<0.18Ω@V

=10V

Single Pulse Avalanche Energy Rated

SOA is Power Dissipation Limited

Nanosecond Switching Speed

Linear Transfer Characteristics

High Input Impedance

SOURCE

1. GATE

2. DRAIN

3. SOURCE

TO-220AB

Maximum Ratings

=25 C Unless Otherwise Specified)

Rating

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current, (V

@10V, T

=25˚C)

, (V

@10V, T

=100˚C)

Pulsed Drain Current

Total Power Dissipation(T

=25˚C)

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

θJC

θJA

Tstg

Value

200

±20

125

+150

- 55~+150

˚C/W

˚C

Unit

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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04-Nov-08

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